| Specyfikacja | |
| Kod producenta | MZ-M5E1T0BW |
| Opis marketingowy | Wyjątkowa i innowacyjna architektura pamięci flash Samsung 3D V-NAND stanowi przełom w pokonywaniu ograniczeń gęstości, wydajności oraz wytrzymałości współczesnej, konwencjonalnej płaskiej architektury NAND. Architektura 3D V-NAND wykorzystuje 32 warstwy komórek umieszczonych jedna nad drugą, zamiast ograniczenia wielkości komórek w celu dopasowania ich do ograniczonej poziomej przestrzeni. Dzięki temu uzyskano większą gęstość i lepsze parametry, a także mniejsze wymiary. |
| Typ | SSD |
| Typ obudowy | AIC |
| Interfejs | SATA III |
| Miejsce montażu | Dedykowane złącze |
| Pojemność | 1000GB |
| Zastosowanie | Komputer stacjonarny i laptop |
| Pamięć podręczna | 1000MB |
| Prędkość obrotowa | Nie dotyczy |
| Maks. prędkość zapisu | 520MB/s |
| Maks. prędkość odczytu | 540MB/s |
| Kieszeń hot-swap | Nie |
| Średni czas bezawaryjnej pracy (MTBF) | 1500000h |
| Funkcje dodatkowe | SMARTTRIM |
| Pobór mocy (spoczynek) | 0,05W |
| Pobór mocy (praca) | 4,3W |
| Wysokość | 51mm |
| Waga | 8,5g |
| Strona www produktu | http://www.samsung.com/pl/consumer/memory-storage/ssd/850-evo/MZ-M5E1T0BW |
