Specyfikacja | |
Kod producenta | MZ-M5E1T0BW |
Opis marketingowy | Wyjątkowa i innowacyjna architektura pamięci flash Samsung 3D V-NAND stanowi przełom w pokonywaniu ograniczeń gęstości, wydajności oraz wytrzymałości współczesnej, konwencjonalnej płaskiej architektury NAND. Architektura 3D V-NAND wykorzystuje 32 warstwy komórek umieszczonych jedna nad drugą, zamiast ograniczenia wielkości komórek w celu dopasowania ich do ograniczonej poziomej przestrzeni. Dzięki temu uzyskano większą gęstość i lepsze parametry, a także mniejsze wymiary. |
Typ | SSD |
Typ obudowy | AIC |
Interfejs | SATA III |
Miejsce montażu | Dedykowane złącze |
Pojemność | 1000GB |
Zastosowanie | Komputer stacjonarny i laptop |
Pamięć podręczna | 1000MB |
Prędkość obrotowa | Nie dotyczy |
Maks. prędkość zapisu | 520MB/s |
Maks. prędkość odczytu | 540MB/s |
Kieszeń hot-swap | Nie |
Średni czas bezawaryjnej pracy (MTBF) | 1500000h |
Funkcje dodatkowe | SMARTTRIM |
Pobór mocy (spoczynek) | 0,05W |
Pobór mocy (praca) | 4,3W |
Wysokość | 51mm |
Waga | 8,5g |
Strona www produktu | http://www.samsung.com/pl/consumer/memory-storage/ssd/850-evo/MZ-M5E1T0BW |